产品参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta），39A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（-大值） 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（-大值） 12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（-大值） 1010pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散（-大值） 1.8W（Ta），21W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（-大值） 7.8 毫欧 @ 12A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DIRECTFET S1
封装/外壳 DirectFET™ 等容 S1
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优势产品：集成IC、二三极管、传感器、IGBT、散热器 、电源模块、MOS管、单片机等电子元器件